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型号: IPG20N04S4L-07

品牌: Infineon (英飞凌)

封装:
PG-TDSON-8-4

品类: MOS管

描述:
的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor

3427

10-99

￥8.0640

100-499

￥7.6608

500-999

￥7.3920

1000-1999

￥7.3786

2000-4999

￥7.3248

5000-7499

￥7.2576

7500-9999

￥7.2038

≥10000

￥7.1770

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型号: IPG20N04S4-12

品牌: Infineon (英飞凌)

封装:
PG-TDSON-8-4

品类: MOS管

描述:
Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFET Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管，可减少 CO2 并采用电力驱动。新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。 OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 AEC 合格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度绿色产品（符合 RoHS 标准） ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

4566

5-49

￥27.7524

50-199

￥26.5664

200-499

￥25.9022

500-999

￥25.7362

1000-2499

￥25.5702

2500-4999

￥25.3804

5000-7499

￥25.2618

≥7500

￥25.1432

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型号: IPG20N06S2L65ATMA1

品牌: Infineon (英飞凌)

封装:
PG-TDSON-8-4

品类: MOS管

描述:
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPG20N06S2L65ATMA1, 20 A, Vds=55 V, 8引脚 TDSON封装

4271

5-24

￥6.5610

25-49

￥6.0750

50-99

￥5.7348

100-499

￥5.5890

500-2499

￥5.4918

2500-4999

￥5.3703

5000-9999

￥5.3217

≥10000

￥5.2488

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型号: IPG20N06S2L35ATMA1

品牌: Infineon (英飞凌)

封装:
PG-TDSON-8-4

品类: MOS管

描述:
INFINEON IPG20N06S2L35ATMA1 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 55 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.6 V

1618

5-24

￥6.6015

25-49

￥6.1125

50-99

￥5.7702

100-499

￥5.6235

500-2499

￥5.5257

2500-4999

￥5.4035

5000-9999

￥5.3546

≥10000

￥5.2812

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